目前全球每天産生(shēng)的數(shù)據量是非常龐大(dà)的，通(tōng)過HDD和(hé)SSD存儲在大(dà)容量的服務器(qì)和(hé)數(shù)據中心裏，不過SSD在讀/寫速度、能耗和(hé)設備尺寸上(shàng)都優于HDD，使得(de)SSD正逐步取代HDD。SSD單位成本的擴展，其中一個(gè)原因歸功于在存儲單元上(shàng)堆疊更多(duō)的層數(shù)。

        據Xtech Nikkei報道(dào)，铠俠首席技(jì)術(shù)官Hidefumi Miyajima在東京城市大(dà)學舉行(xíng)的第71屆應用物理(lǐ)學會(huì)春季會(huì)議上(shàng)表示，計(jì)劃到2031年開(kāi)始批量生(shēng)産超過1000層的3D NAND閃存芯片。

        增加3D NAND器(qì)件中有(yǒu)源層的數(shù)量是目前提高(gāo)閃存記錄密度的最佳方法，因此所有(yǒu)3D NAND閃存制(zhì)造商每1.5至2年就通(tōng)過新的制(zhì)程工藝節點來(lái)實現這一目标。不過每個(gè)新的制(zhì)程工藝節點都會(huì)有(yǒu)一些(xiē)挑戰，由于3D NAND閃存需要在存儲單元上(shàng)堆疊更多(duō)層數(shù)，那(nà)麽也要在橫向和(hé)縱向上(shàng)縮小(xiǎo)存儲單元，其中會(huì)采用新的材料，對于廠商研發上(shàng)會(huì)有(yǒu)一定的難度。

        目前铠俠最好的是去年推出的第8代BiCS 3D NAND閃存，為(wèi)218層。為(wèi)此铠俠和(hé)西部數(shù)據還(hái)開(kāi)發了CBA（CMOS directly Bonded to Array）技(jì)術(shù)，将每個(gè)CMOS晶圓和(hé)單元陣列晶圓都是在其最優狀态下單獨制(zhì)造的，然後粘合在一起，以提供增強的位密度和(hé)快速的NAND I/O接口速度。通(tōng)過創新的橫向收縮技(jì)術(shù)，将位密度提高(gāo)了50%以上(shàng)，NAND I/O接口速度超過了3.2Gb/s，比上(shàng)一代産品提高(gāo)了60%。

        铠俠應該會(huì)沿用目前的工藝技(jì)術(shù)路線，開(kāi)發1000層的3D NAND閃存芯片。